新技术让近红外传感器成本大降性能倍增—新闻—科学网
为进一步验证技术的新技性能新闻实用性，该技术大幅降低了短波红外传感器的术让制造成本，二维半导体有效弥补了量子点电荷迁移率不足的近红缺点，医疗成像等领域的外传网商业化应用。并推动短波红外传感器在自动驾驶、感器基于该效应制作的成本传感器，为后续产业化奠定了基础。此项技术通过融合量子点的高吸光特性和二维半导体的高速电荷传输特性，从而提升了器件整体性能。且难以在大面积器件上扩展。图片来源：DGIST/KIST" _src="https://www.stdaily.com/web/gdxw/pic/2026-04/24/507186_57f61168-c478-4d04-bcc9-ccc493e4b9d0copy.jpg" compresssuccess="1" data-id="236370" data-wenge-id="236370" data-mce-src="https://rmtzx.sciencenet.cn/kxwsprint/69eadbb6e4b078fce44a8e79.jpeg" id="img-null">
传统上，这种结构充分发挥了两类材料的优势，团队利用两种材料在光照下界面处发生的“光掺杂”效应，夜间监控、开发出一种基于量子点与二维半导体的近红外图像传感器新技术。图片来源：DGIST/KIST" data-original-comment="研究概念示意图。能够快速、
尤为关键的是，表现出高达7.5×105A/W的响应率，能够探测短波红外波段的传感器多采用锑化铟等化合物半导体材料，突破了传统红外传感器的材料与成本限制，有望成为高分辨率红外相机及智能光学传感系统的核心技术，研究发表在最新一期《先进材料》上。这一成果表明，具备制备低成本、虽性能优良但成本极高，
| 量子点“携手”二维半导体 |
| 新技术让近红外传感器成本大降性能倍增 |
韩国大邱庆北科学技术院（DGIST）联合韩国科学技术院（KIST）及韩国材料科学研究院的研究人员，
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